砷化镓的特性

砷化镓是一种半导体材料，具有以下特性：

1. 高电子迁移率：砷化镓的电子迁移率较高，约为8500 cm²/Vs，因此它是一种高速电子运输的良好材料。

2. 高载流子浓度：砷化镓的载流子浓度较高，可以达到10¹⁸/cm³，这使得它在半导体器件中的应用更为广泛。

3. 高光吸收系数：砷化镓的光吸收系数较低，约为4 cm⁻¹，这使得它在光电子学领域中的应用更为广泛。

4. 高熔点：砷化镓的熔点较高，约为1238℃，这使得它可以在高温下使用。

5. 良好的机械性能：砷化镓具有较高的硬度和弹性模量，同时也具有较低的热膨胀系数，这使得它在制备半导体器件时更容易加工和控制。

6. 有毒性：砷化镓是一种有毒的化合物，应当在安全的实验条件下进行处理，以避免对人体和环境造成危害。