碘化锑禁带宽度

碘化锑（SbI3）是一种半导体材料，其禁带宽度是指能带中最高价带和最低导带之间的能量间隙。碘化锑的禁带宽度取决于其晶体结构、温度和其他物理参数。

在常温下，碘化锑具有正交晶体结构，其禁带宽度约为1.5电子伏特（eV）。当温度升高时，由于热激发的影响，电子和空穴的数量会增加，禁带宽度也会减小。此外，应力和材料纯度等因素也会对禁带宽度产生影响。

需要注意的是，不同文献中对于碘化锑禁带宽度的报道可能存在差异，这与实验条件、测量方法等因素有关。因此，在使用碘化锑作为半导体材料时，需要根据具体情况进行实验和测量，以获得更加准确的数据。