砷化铟禁带宽度

砷化铟（InAs）是一种III-V族半导体材料，具有非常窄的禁带宽度。其禁带宽度取决于其晶格结构和化学成分，同时也会受到材料制备过程的影响。

在室温下，砷化铟的禁带宽度约为0.35电子伏特（eV），比硅等其他传统半导体要窄得多。这也导致了砷化铟在高速电子器件、红外探测器等领域具有广泛应用。

通过改变砷化铟的掺杂量和厚度，可以进一步调节其禁带宽度。例如，在在20℃时，无掺杂的InAs薄膜的禁带宽度约为0.36 eV，而掺杂浓度为5 x 10^17 cm^-3的InAs禁带宽度则约为0.27 eV。

总之，砷化铟的禁带宽度是一个关键的物理参数，对于研究和应用该材料的电子学和光电学性质具有重要意义。