硒化钨导电机理

硒化钨是一种半导体材料，它的导电机理可以通过能带结构来解释。硒化钨晶格中的钨原子和硒原子组成了共价键，使得它们形成了一个共价键网络。在这个网络中，存在着一些未被填满的价带和一些被部分填满的导带。

在常温下，硒化钨表现出较高的电阻率，因为其导带中的电子数量很少。当硒化钨受到光照时，吸收的能量会激发一些原本处于价带中的电子跃迁到导带中，从而增加了导带中的自由电子数量。这些自由电子能够在晶体中移动并形成电流，因此硒化钨就表现出了更好的导电性能。

此外，硒化钨还具有一些特殊的性质，例如光电效应和热释电效应等，这些效应也可以进一步提高硒化钨的导电性能。总的来说，硒化钨的导电机理主要是基于其能带结构和外界激发作用下自由电子的产生和移动。