二硒化钽的制备方法是什么？

二硒化钽可以通过化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、分子束外延(MBE)等方法制备。

其中，CVD法是最常用的方法之一。该方法通常在高温下进行，将化学气体传送到反应室中，与钽基底上已经存在的硒反应，形成二硒化钽的薄膜。常用的反应气体为TaCl5和H2Se，反应温度通常在700-900℃之间。

PVD法则是使用真空蒸发或溅射的方式，将钽和硒的靶材放置于真空室中，在真空条件下，通过加热或电弧等方式使钽、硒原子从靶材表面蒸发或剥离，并在衬底上沉积成薄膜。

MBE法采用的是类似于PVD法的真空条件，但是是以单个原子或分子为单位进行生长。在MBE中，钽和硒源被加热并蒸发，然后通过分子束沉积在衬底上。