二硫化钨的电容率

二硫化钨是一种半导体材料，它的电容率取决于它的晶体结构、温度、频率和应变等多种因素。

在室温下，二硫化钨的电容率通常在10-30之间，单位为pF/cm。随着温度的升高，电容率会逐渐减小，这是因为热能会增加物质内部原子的运动，从而使电荷更难在材料中移动。

此外，频率和应变也会对二硫化钨的电容率产生影响。在高频率下，电容率通常会降低，这是因为电荷不能足够快地响应频繁的电场变化。而在受到应变时，电容率也会发生变化，这是因为应变会改变材料的晶格结构和电子密度分布。

因此，对于具体的二硫化钨样品，在特定的条件下测量其电容率时，需要控制好温度、频率和应变等因素，才能得到准确可靠的结果。