二硫化钼电导率

二硫化钼是一种黑色晶体，具有半导体性质。其电导率受多种因素影响，包括温度、掺杂、晶格缺陷和应力等。

在常温下，二硫化钼的电导率相对较低，大约在10^-8 S/cm量级。但是随着温度的升高，其电导率会逐渐增加，直至达到热激活能的临界值，此时呈现出明显的半导体特性，电导率可达到10^-2 S/cm以上。

此外，通过掺杂可以改变二硫化钼的电导率，例如掺杂铜元素可以提高其导电性能。同时，晶格缺陷和应力也会对电导率产生影响，其中晶格缺陷可能会导致局部电子密度的变化，从而影响电子传输行为。

总之，二硫化钼的电导率受多种因素的综合作用，需要根据具体情况进行分析和研究。