砷化锗

砷化锗是一种半导体材料，由砷和锗元素组成。其化学式为GeAs，晶体结构为闪锌矿型。砷化锗具有高的电子迁移率和较小的能带间隙，使其在高速电子设备和红外探测器等领域具有广泛应用。

砷化锗可以通过各种方法制备，包括气相外延、分子束外延、金属有机分解法等。其中，气相外延是最常用的制备方法之一，它基于化学气相沉积技术，将砷化锗蒸发源加热并传递到衬底上，在高温下形成单晶砷化锗薄膜。

砷化锗的物理性质包括密度、热膨胀系数、折射率、吸收系数等。其中，砷化锗的密度约为5.32 g/cm³，热膨胀系数为6.1×10^-6 K^-1，折射率为3.3左右。此外，砷化锗在近红外和中红外波段具有很高的吸收系数，可用于制作红外光检测器和激光器等器件。

砷化锗的电学性质包括载流子浓度、电导率、迁移率等。砷化锗具有高的电子迁移率，使得它在高速电子设备领域表现出色。此外，由于砷化锗的能带间隙较小（约0.67 eV），因此它可以吸收中红外波段的光，被广泛应用于红外探测器和激光器等器件中。