二硒化锗

二硒化锗是一种无机化合物，化学式为GeSe2。它是深灰色晶体或粉末，可以通过在Ge和Se的混合物中加入少量I2来制备。

二硒化锗的晶体结构是层状的，由三元环状GeSe4四面体构成。每个Ge原子都被六个Se原子包围，并形成一个六配位的八面体结构。此外，与Ge-Se键相邻的Ge原子之间还存在着一些弱的Ge-Ge键。

二硒化锗在空气中不稳定，会逐渐氧化，因此需要在惰性气氛下保存。它具有低的电导率和较高的折射率，在红外光谱区域表现出良好的透明度，因此被广泛应用于红外光学材料领域。

此外，二硒化锗也可用作半导体材料，其带隙宽度为1.7-1.8 eV，比硫化镉等其他半导体材料更小，因此具有更高的光学吸收率。它也可用于太阳能电池、光电探测器和其他电子设备的制造中。