P型硅掺杂元素

p型硅是指通过向纯硅中掺杂少量的三价元素（如铋、镓或硼）来形成的半导体材料。这些三价元素会取代硅晶格中的四面体空位，并留下一个缺失电子，形成了所谓的空穴。这些空穴可以被看做是一种正电荷载体，因此p型硅中的电导主要是由空穴贡献的。

掺杂元素的浓度通常是以每立方厘米掺杂原子数量表示的。在p型硅中，掺杂元素的浓度应该足够高，以便在材料中形成有效的空穴浓度，并且不会引入过多的杂质能级，从而影响材料的电学性能。通常，p型硅的掺杂浓度在10^15到10^18个原子/立方厘米之间。

掺杂后的p型硅具有改变其导电性质的能力，因为它的原子结构已经改变。p型硅可以与n型硅（通过掺杂五价元素如砷、锑或磷）结合形成p-n结，这是现代半导体器件制造的基础之一。