锑化镓的特性

锑化镓有以下特性：

1. 半导体性质：锑化镓是一种半导体材料，能够掺杂各种杂质原子来改变其电子性质，如掺杂硅可以将其变为n型半导体，掺杂锌可以将其变为p型半导体。

2. 宽带隙：锑化镓的带隙宽度为 0.726 eV，在光电子学领域有广泛应用。

3. 高电子迁移率：锑化镓具有很高的电子迁移率，达到 8000 cm²/(V·s)，使其在高速电子学领域具有广泛应用。

4. 热稳定性：锑化镓的热稳定性较好，能够在高温下稳定工作，因此被广泛应用于高温电子学领域。

5. 光学性质：锑化镓在中红外光谱范围内的透过率较高，因此在红外光电子学领域有应用。

6. 化学稳定性：锑化镓对大多数酸和碱都具有良好的稳定性，能够在常规的化学环境下稳定工作。