二硒化铌的导电性能如何？

二硒化铌具有良好的导电性能，属于半导体材料。其导电性能受温度、掺杂等因素的影响很大。在室温下，二硒化铌的电阻率约为10^5 Ω·cm左右，但当温度降低至4K时，其电阻率会急剧下降到约10^-2 Ω·cm左右，表现出明显的超导特性。同时，通过适当的掺杂或调控其结构可以进一步提高其导电性能，使其成为一种有潜力的应用于电子器件和传感器等领域的材料。