磷砷化镓

磷砷化镓（Gallium arsenide phosphide，GaAsP）是一种半导体材料，由镓（Ga）、磷（P）和少量的砷（As）组成。它是一种直接带隙半导体，因此在制造太阳能电池、激光器、LED等器件时被广泛应用。

磷砷化镓的晶体结构属于闪锌矿型结构，即每个金属离子处于正方形环境中，而磷和砷原子则处于八面体环境中。磷砷化镓的带隙宽度可以通过控制其中砷元素的含量来调节，通常在1.8-2.3电子伏特之间。这使得它适合于制造高效的光电器件，因为较小的能隙意味着更高的吸收率和发射率。

磷砷化镓具有优异的电学和光学性质，例如高载流子迁移率、高光电转换效率和高稳定性。它还具有良好的耐辐照性，因为它不容易受到空间辐射的损害。由于这些特性，磷砷化镓已经成为许多应用领域的首选材料之一。