六硼化镧电导率

六硼化镧是一种半导体材料，其电导率取决于温度和掺杂水平。

在室温下，未掺杂的六硼化镧的电导率约为1×10^-7 S/cm。随着温度的升高，电导率增加。在高温下（超过800°C），六硼化镧表现出类金属行为，电导率远高于室温值。

此外，通过掺杂可以显著提高六硼化镧的电导率。掺杂元素通常是三价或五价的元素，如铝、镓和磷等。这些元素取代六硼化镧中的镧原子，形成空位或缺陷，并增加了材料的自由载流子浓度。掺杂后的六硼化镧的电导率可达到10^3 S/cm以上。

需要注意的是，六硼化镧的电导率还受到晶格缺陷、氧杂质等因素的影响。因此，在实际应用中，需要针对特定应用场景优化材料制备和掺杂工艺，以达到期望的电导率和性能。