双层硒化钨带隙

双层硒化钨是一种二维材料，由两个硒化钨（WSe2）层堆叠而成。其带隙是指在能量带结构中价带和导带之间的能隙大小，通常用电子伏特（eV）作为单位表示。

双层硒化钨的带隙大小与其晶格结构、厚度和应变等因素相关。研究表明，其带隙大小可以通过控制层间距和应变来调节，在室温下可实现可见光响应。例如，当两个硒化钨层之间的间距缩小时，其带隙会减小，反之亦然。同时，外加应变会引起晶格畸变，从而改变其电子结构和带隙大小。

总体而言，双层硒化钨的带隙大小通常在0.5到2电子伏特之间。这使得它在太阳能电池、光电传感器、光电调制器等领域具有潜在的应用价值。