二氧化锗导电性

二氧化锗是一种无机化合物，其电导率取决于其晶体结构和掺杂方式。在纯二氧化锗中，其电导率很低，因为其晶体结构中存在着较强的共价键，电子难以自由移动。

但是，通过掺杂其他元素（如磷、硼等），可以在二氧化锗中形成杂质能级，这些能级可以让电子更容易地移动，从而提高了导电性。此外，在高温下，二氧化锗也可以形成非晶态结构，这种非晶态结构中不存在长程有序性，因此电子的运动也更加自由，电导率也会增加。

总之，二氧化锗的导电性取决于晶体结构、掺杂方式以及温度等因素。